sindbad001
18/05/2014, 11h02
Les fabricants Toshiba et SanDisk viennent d’annoncer un partenariat qui vise à investir dans une nouvelle usine de production de mémoire Flash NAND en 3D. Elle sera opérationnelle à partir de 2016, avec l'objectif d’une capacité d’un téraoctet d’ici cinq ans.
http://fr.cdn.v5.futura-sciences.com/builds/images/thumbs/4/4335129ad0_Flash_3D_samsung_VNand.jpgUne puce mémoire V-NAND de 128 Go lancée l’été dernier par Samsung. Son architecture 3D empile 24 couches. Actuellement, la plupart des grands fabricants de mémoire Flash investissent dans la troisième dimension. © Samsung
Ils passent à la 3D. Le japonais Toshiba et l’états-unien SanDisk (http://www.sandisk.com/about-sandisk/press-room/press-releases/2014/toshiba-to-replace-fab-2-at-yokkaichi-japan-for-transition-to-3d-nand-technology/) ont décidé d’unir leurs compétences pour créer une usine de production de mémoire Flash (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/dico/d/informatique-memoire-flash-1912/) NAND à architecture 3D. Elle sera basée au Japon, dans la préfecture de Mie, et construite à la place de l’usine de mémoire Flash NAND de Toshiba. Les travaux débuteront en septembre prochain et la salle blanche doit être opérationnelle à partir de 2016.Le recours à la mémoire Flash a explosé avec l’avènement des smartphones (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/dossiers/d/telecoms-smartphones-guerre-systemes-exploitation-mobiles-1487/), des tablettes (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/actu/d/informatique-animation-principales-tablettes-tactiles-31591/) et autres terminaux mobiles. Et la tendance devrait encore s’amplifier avec la déferlante programmée des objets connectés. Le problème est que la finesse de gravure de la mémoire Flash est en train d’approcher une limite physique, où chaque nouvelle génération demande des investissements toujours plus lourds. Toshiba (http://www.toshiba.co.jp/about/press/2014_04/pr2301.htm) vient d’ailleurs d’annoncer qu’il entame la production d’une mémoire Flash NAND gravée en 15 nm.http://fr.cdn.v5.futura-sciences.com/builds/images/rte/RTEmagicC_Toshibafactory_3D.jpg
Toshiba s’est associé à l’états-unien SanDisk pour investir dans la construction d’une usine dédiée à la fabrication de mémoire Flash NAND 3D. Un investissement de plus de 4,8 milliards de dollars (3,5 milliards d’euros) qui doit permettre de démarrer la production en 2016. © Toshiba
Samsung, Hynix et Micron travaillent aussi sur la mémoire Flash 3DLes principaux fabricants ont donc décidé de basculer sur une architecture 3D qui consiste à empiler des cellules (dies (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/dico/d/informatique-die-2459/) en anglais) à la verticale afin d’augmenter la densité par unité de surface. Les bénéfices sont multiples : vitesse d’écriture plus importante, meilleure fiabilité et consommation d’énergie moitié moindre que la mémoire Flash (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/actu/d/informatique-memoire-Flash-futur-sera-t-elle-miniaturisee-grace-graphene-33240/) classique.L’été dernier, Samsung (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/actu/d/technologie-graphene-methode-fabrication-revolutionnaire-samsung-53196/) a annoncé qu’il commençait la production en masse de sa mémoire 3D baptisée V-NAND (http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/html/product/Flash-solution/vnand/overview.html) (pour Vertical NAND) de 128 Go. Elle se compose de 24 cellules interconnectées à la verticale. Samsung travaille actuellement sur une puce V-NAND de 512 Go et compte atteindre le téraoctet dans les prochaines années. Toshiba et SanDisk prévoient quant à eux de produire une puce Flash NAND 3D d’un téraoctet dans cinq ans. À noter : d’autres grands acteurs du secteur, comme SK Hynix et Micron (http://www.futura-sciences.com/magazines/matiere/infos/dico/d/physique-micron-5146/), développent également ce type de mémoire Flash.
http://fr.cdn.v5.futura-sciences.com/builds/images/thumbs/4/4335129ad0_Flash_3D_samsung_VNand.jpgUne puce mémoire V-NAND de 128 Go lancée l’été dernier par Samsung. Son architecture 3D empile 24 couches. Actuellement, la plupart des grands fabricants de mémoire Flash investissent dans la troisième dimension. © Samsung
Ils passent à la 3D. Le japonais Toshiba et l’états-unien SanDisk (http://www.sandisk.com/about-sandisk/press-room/press-releases/2014/toshiba-to-replace-fab-2-at-yokkaichi-japan-for-transition-to-3d-nand-technology/) ont décidé d’unir leurs compétences pour créer une usine de production de mémoire Flash (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/dico/d/informatique-memoire-flash-1912/) NAND à architecture 3D. Elle sera basée au Japon, dans la préfecture de Mie, et construite à la place de l’usine de mémoire Flash NAND de Toshiba. Les travaux débuteront en septembre prochain et la salle blanche doit être opérationnelle à partir de 2016.Le recours à la mémoire Flash a explosé avec l’avènement des smartphones (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/dossiers/d/telecoms-smartphones-guerre-systemes-exploitation-mobiles-1487/), des tablettes (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/actu/d/informatique-animation-principales-tablettes-tactiles-31591/) et autres terminaux mobiles. Et la tendance devrait encore s’amplifier avec la déferlante programmée des objets connectés. Le problème est que la finesse de gravure de la mémoire Flash est en train d’approcher une limite physique, où chaque nouvelle génération demande des investissements toujours plus lourds. Toshiba (http://www.toshiba.co.jp/about/press/2014_04/pr2301.htm) vient d’ailleurs d’annoncer qu’il entame la production d’une mémoire Flash NAND gravée en 15 nm.http://fr.cdn.v5.futura-sciences.com/builds/images/rte/RTEmagicC_Toshibafactory_3D.jpg
Toshiba s’est associé à l’états-unien SanDisk pour investir dans la construction d’une usine dédiée à la fabrication de mémoire Flash NAND 3D. Un investissement de plus de 4,8 milliards de dollars (3,5 milliards d’euros) qui doit permettre de démarrer la production en 2016. © Toshiba
Samsung, Hynix et Micron travaillent aussi sur la mémoire Flash 3DLes principaux fabricants ont donc décidé de basculer sur une architecture 3D qui consiste à empiler des cellules (dies (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/dico/d/informatique-die-2459/) en anglais) à la verticale afin d’augmenter la densité par unité de surface. Les bénéfices sont multiples : vitesse d’écriture plus importante, meilleure fiabilité et consommation d’énergie moitié moindre que la mémoire Flash (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/actu/d/informatique-memoire-Flash-futur-sera-t-elle-miniaturisee-grace-graphene-33240/) classique.L’été dernier, Samsung (http://www.futura-sciences.com/magazines/high-tech/infos/actu/d/technologie-graphene-methode-fabrication-revolutionnaire-samsung-53196/) a annoncé qu’il commençait la production en masse de sa mémoire 3D baptisée V-NAND (http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/html/product/Flash-solution/vnand/overview.html) (pour Vertical NAND) de 128 Go. Elle se compose de 24 cellules interconnectées à la verticale. Samsung travaille actuellement sur une puce V-NAND de 512 Go et compte atteindre le téraoctet dans les prochaines années. Toshiba et SanDisk prévoient quant à eux de produire une puce Flash NAND 3D d’un téraoctet dans cinq ans. À noter : d’autres grands acteurs du secteur, comme SK Hynix et Micron (http://www.futura-sciences.com/magazines/matiere/infos/dico/d/physique-micron-5146/), développent également ce type de mémoire Flash.